国际半导体电荷存储技能中，“写入速度”与“非易失性”两种功能一直难以兼得。记者日前从复旦大学微电子学院得悉，该校张卫、周鹏教授团队研制出具有颠覆性的二维半导体准非易失性存储原型器材，创始了第三类存储技能，不只能够完成“内存级”的数据读写速度，还能够按需定制存储器的数据存储周期。

　　据张卫介绍，现在半导体电荷存储技能主要有两类，第一类是易失性存储，如计算机内存，数据写入仅需几纳秒左右，但掉电后数据会当即消失；第二类对错易失性存储，如U盘，数据写入需求几微秒到几十微秒，但无需额定能量可保存10年左右。

　　为了研制出两种功能可兼得的新式电荷存储技能，该团队创新性地挑选了多重二维半导体资料，堆叠构成了半浮栅结构晶体管：二氧化钼和二硒化钨像是一道顺手可关的门，电子易进难出，用于控制电荷运送；氮化硼作为绝缘层，像是一面密不透风的墙，使得电子难以进出；而二硫化铪作为存储层，用以保存数据。周鹏说，只需调理“门”和“墙”的份额，就能够完成对“写入速度”和“非易失性”的调控。

　　此次研制的第三代电荷存储技能，写入速度比现在U盘快1万倍，数据改写时刻是内存技能的156倍，而且具有杰出的调控性，能够完成按需“裁剪”数据10秒至10年的保存周期。这种全新特性不只能够极大下降高速内存的存储功耗，同时还能够完成数据有效期截止后天然消失，在特别应用场景解决了保密性和传输的对立。

　　最重要的是，二维资料能够获得单层的具有完美界面特性的原子级别晶体，这对集成电路器材进一步微缩并进步集成度、稳定性以及开发新式存储器都有着巨大潜力，是下降存储器功耗和进步集成度的簇新途径。基于二维半导体的准非易失性存储器可在大标准组成技能根底上完成高密度集成，为未来的新式计算机奠定根底。